扩散炉 LPCVD-SIN扩散炉 青岛赛尔程控扩散炉 · 青岛赛尔微电子有限公司
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扩散炉 LPCVD-SIN扩散炉 青岛赛尔程控扩散炉
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扩散炉 LPCVD-SIN扩散炉 青岛赛尔程控扩散炉
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赛尔微电子
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青岛赛尔微电子有限公司
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山东省 青岛市
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LPCVD技术指标1工作温度:300~900℃2适用硅片尺寸:4~6英寸3装片数量:正片100~150片/管4恒温区长度:1000mm5恒温区稳定性:≤±0.5℃6极限真空度:6mTorr7淀积膜均匀
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